技术编号:25087250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种gan器件及其制备方法技术领域.本发明实施例涉及gan射频器件技术领域,尤其涉及一种gan器件及其制备方法。背景技术.氮化镓(gan)材料具有宽禁带宽度,高击穿电场,高热导率,高电子饱和速率以及更高的抗辐射能力,在高温、高频、抗辐射以及大功率半导体器件中有广泛的应用前景。gan基高电子迁移率晶体管(hemt)已广泛应用于微波通讯和电力电子转换等领域。.gan hemt器件的导通电阻是影响器件性能的关键指标,如gan hemt器件的导通电阻大,在射频器件中体现为输出功率密度降低,在电力电...
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