技术编号:25087964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及氮化镓功率半导体器件,尤其是一种高阻断电压的氮化镓mosfet结构,属于电力电子器件技术领域。背景技术.氮化镓材料具有高的击穿电场、高的饱和速度、好的散热性能,相比于硅基场效应晶体管,氮化镓场效应晶体管具有高耐压,低导通电阻,寄生参数小等优异特性,当应用于开关电源领域中,具有损耗小,工作频率高,可靠性高等优点,可以大大提升开关电源的效率,功率密度和可靠性等性能。.现行技术中的氮化镓mosfet主要包括基于gan体材料的垂直型mosfet和基于二维电子气(deg) 的algan...
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