技术编号:25224160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,尤其是涉及一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及制备方法。背景技术gan作为第三代宽禁带化合物半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子漂移速度快和抗辐射能力强等特点,algan/gan结构的hemt器件具有耐高温、耐高压、良好的高频大功率等特性。algan/gan异质结具有较强的极化效应,即使在未掺杂时,器件也可获得高达1×1013cm-2面密度的二维电子气。近年来,在现有algan/gan异质结构的基础上,如何进一步优化ganhemt器件结构和提升器件击穿...
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