技术编号：25224166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种双极晶体管及其制作方法。背景技术晶体三极管由两个背靠背的pn结构成，通常用于获取电压、电流或信号的放大增益。双极晶体管是晶体管的一种，通常具有两种基本结构：pnp型和npn型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。通常，当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极晶体管中，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高。在传统的技术中，...
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