技术编号:25287073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是中国发明专利申请(申请号:201610150144.4,申请日:2016年03月16日,发明名称:半导体装置及其制造方法)的分案申请。本发明涉及一种半导体装置,特别是涉及半导体装置的接合结构及其制造方法。背景技术半导体装置包含由ⅲ-ⅴ族元素组成的化合物半导体,例如磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan),半导体装置可以为发光二极管(led)、功率装置或太阳能电池。其中,led的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层,活性层设于p型半导体层与n型半导体层之间,使得在...
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