技术编号:25355374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法。背景技术.碳化硅(sic)材料作为第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度大、饱和电子漂移速度大和能承受极端环境变化等一系列优点,使得sic材料在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面有极大的应用潜力。目前碳化硅材料主要是被应用到电子器件的制备中。.碳化硅材料的硬度很高,化学性质十分稳定,一般采用干法刻蚀对碳化硅晶片进行刻蚀,通常来说,在刻蚀碳化硅晶片的过程中,容易出现沟槽的底壁较为平...
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