技术编号:25530460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种背照式cmos传感器的制造方法、电子冲击型cmos传感器(electronbombardedcmossensor)的制造方法、背照式cmos传感器用像素以及电子冲击型cmos传感器。背景技术关于背照式cmos传感器、背照式cmos传感器的制造方法,公开了以下的专利文献。例如,在专利文献1(日本专利特开2003-031785号公报)中,通过布线层将入射光收入光电二极管的像素结构中,作为针对通过微透镜会聚的光的一部分被布线反射的问题的解决手段,公开了以下的x-y地址型固体摄像元件及其制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。