技术编号：25530665
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及一种半导体技术领域，特别是有关于一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件。背景技术化合物半导体器件，例如氮化镓(gan)目前已经是射频(rf)及高功率(highpower)器件的潮流之一。由于氮化镓晶体管的宽能带隙及高的临界崩溃电压，所以氮化镓晶体管是高电压应用的很好候选者。高电压应用包含功率转换器、射频(rf)功率转换器、rf开关及其他高电压应用。但是简单的晶体管架构，例如具有单一栅极、源极和漏极，无法利用这些电特性。此类氮化镓晶体管由于漏极电场线集中在栅极的边缘，...
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