技术编号：25543289
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文所述实施例总体上涉及半导体制造中使用的等离子体处理腔室。背景技术相关技术说明可靠地生产高深宽比特征是对于下一代超大规模集成(vlsi)和极大规模集成(ulsi)半导体元件的关键技术挑战之一。形成高深宽比特征的一种方法使用等离子体辅助蚀刻工艺(诸如反应离子蚀刻(rie)等离子体工艺)以在基板的材料层(诸如介电层)中形成高深宽比开口。在典型的rie等离子体工艺中，等离子体形成在rie处理腔室中，并且将来自等离子体的离子朝向基板表面加速，以在基板表面上形成的掩模层下方设置的材料层中形成开口。当前等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。