技术编号：25610724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种利用电场修复硅基晶格缺陷的建模方法。背景技术.在硅基晶格成形的过程中，受材料本身以及加工技术条件的限制，在温度场作用下成形的硅基存在晶格缺陷，晶格缺陷的存在会影响器件的兼容性，进而制约mems器件的性能表现。电场作为一种重要的物理场，通过静电能影响原子扩散迁移，改变系统内部的能量，从而引起微观结构形态的变化。当在物质外部施加电场时，物质内部存在的游离态电子受到电场作用而进行定向运动，在运动过程中与物质内部的原子发生碰撞，实现动量交换。当物质内部原子...
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