技术编号：25652947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种碳化硅mosfet器件的元胞结构及功率半导体器件技术领域.本发明涉及功率半导体器件领域,尤其涉及一种集成了肖特基二极管(sbd)的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件的元胞结构及功率半导体器件。背景技术.现阶段的逆变器和转换器多使用硅基igbt，但igbt关断时的拖尾电流和开通时外置frd的恢复导致功率转化时损耗过大。因此更低损耗、更高开通频率的碳化硅mosfet备受市场青睐。但传统的碳化硅mosfet，在第三象限体二极管导通时会导致电特性退化，例如导通电阻和正向压降的...
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