技术编号:25790884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件技术领域,具体而言,涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构。背景技术.随着全球电力的迅速普及,电源系统也被广泛的应用在世界各地。由于幅员辽阔,各地的气候特点并不相同。如昼夜温差较大的地方,需要对功率器件的封装材料和封装工艺提出更高要求;空气湿度较大的地方,需要关注器件抗湿气能力。.传统功率器件为防止外界水汽与可动离子(诸如,钠)对器件内部结构造成影响,通常会在终端区域覆盖钝化层,钝化层会一直延伸至正面电极表面。然而,具备该钝化层结构的功率器件在tct(tempe...
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