技术编号:25820669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。背景技术.动态随机存储器(dynamic random access memory,简称dram)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器,被广泛地应用到数据存储设备或装置中。其中,动态随机存储器由许多重复的存储单元组成,每个存储单元通常包括电容结构和晶体管,晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容结构相连;字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭,进而通过位线读取存储在电容结构中的数据信息,或者通...
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