技术编号:25884745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法.本申请为申请号为.、申请日为年月日的发明名称为“形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法”的中国专利申请的分案申请。技术领域.本申请总体上涉及在碳化硅衬底中的器件的形成,并且更具体地涉及用于形成具有电气屏蔽栅极结构的基于碳化硅的开关器件的技术。背景技术.半导体晶体管,特别是诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和绝缘栅极双极型晶体管(igbt)的场效应控制的开关器件已经被使用在诸如功率电源、功率转换器、电动汽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。