技术编号:25902043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体装置结构,尤其涉及一种可在硅基底中嵌入硅表面下互连结构(underground interconnection)且所述硅表面下互连结构同时具有高导电率且有效优化地隔离所述硅基底的半导体装置结构。背景技术.在现有最先进的集成电路中,所述集成电路通过导电互连结构(例如∶金属线,多晶硅线等)连接多个晶体管,以帮助信号在所述多个晶体管中的栅极(gate)、源极(source)以及漏极(drain)之间传输。所述金属线依靠许多接触孔和连接插销分别与所述多个晶体管中的栅极、源极以及...
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