技术编号：25979877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备。背景技术化学气相沉积(chemicalvapordeposition，以下简称cvd)工艺是一种利用不同气体在高温条件下相互反应来制备外延薄膜的方法。气体在反应室内的流速影响着外烟薄膜的质量。cvd设备中安装有排气装置，而排气装置的抽气速率影响反应室内的气体的流速。目前，在晶圆的外延生长技术中，水平气流生长成为主要的生长模式之一，所谓的水平气流即在生长过程中，气体从进气装置进入反应腔室，在排气装置的作...
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