技术编号：25987021
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)结构被广泛的运用于半导体集成电路(ic)的制程布局，在mosfet的结构中必需在侧壁上形成一侧壁绝缘层以隔离栓导电层与柵导电层，藉以避免两导体层的短路造成器件失效，但是也因此产生寄生电容。随着动态随机存取存储器dram(dynamicrandomaccessmemory)的工艺持续微缩至纳米等级，在元件大幅微缩的条件下，改善半导体结构与接触导体间的寄生电容是一大挑战。例如，对于位线(...
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