技术编号:26192026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射装置及溅射方法,具体而言,涉及可提高靶的利用效率的溅射装置及溅射方法。背景技术在半导体器件的制造工序中,有在形成于被处理基板表面的孔和沟槽的底面和侧面上形成阻挡膜或晶种膜等薄膜的成膜工序,在这样的成膜中,通常使用溅射装置。例如在专利文献1中已知的溅射装置,其可在孔和沟槽的底面和侧面覆盖性良好且对于孔和沟槽对称性良好地(即在孔和沟槽的相对侧面上形成的薄膜的厚度相同地)形成薄膜。上述以往例子的装置是所谓的lts(长抛掷溅射(longthrowsputtering))方式的装置,具有可形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。