技术编号:26270860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开主张2020年2月11日申请的美国正式申请案第16/787,367号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件结构。尤其涉及一种具有气隙的半导体元件结构,该气隙位于两个导电特征之间,并用于降低电容耦合。背景技术对于许多现代应用,半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步,半导体装置的尺寸变得越来越小,于此同时提供较佳的功能以及包含较大的集成电路数量。由于半导体装置的小型化,实现不同功能的半导体装置的不同型态与尺寸规模,整合(integrate...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。