技术编号:26289063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及一种清洁方法,特别是涉及一种用于清洁蚀刻设备的方法。背景技术在半导体装置的制造中,各式种类的等离子体制程用以沉积数层导电及介电材料于半导体基板上,且亦用以覆面蚀刻(blanketetch)及选择蚀刻(selectivelyetch)来自基板的材料。在这些制程期间,基板是固定至处理腔室中的基板吸座,且在邻近基板表面处生成等离子体。已发展各式技术以将基板固定至基板吸座。举例来说,可使用一静电吸座(electrostaticchuck,esc)在等离子体制程期间保持基板。静电吸座的使用...
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