技术编号：26289375
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子技术领域，尤其涉及一种压力键合装置、控制系统及压力键合方法。背景技术半导体键合技术可以将具有较大晶格失配的不同特性材料通过接触面间的分子力或键合化学力键合在一起。通过不同特性材料间的键合，将不同材料的优势结合起来，从而提高器件设计的自由度。一般情况下，键合工艺按照温度不同可以分为高温键合(温度大于400℃)和低温键合(温度低于400℃)。在高温键合过程中，由于键合材料间存在较高的热失配，所以容易在界面产生缺陷，进而导致器件的性能降低。而低温键合过程需要较高的真空度，且需要复杂的设...
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