技术编号:26290018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2020-23556号(申请日:2020年2月14日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。背景技术已知有能够非易失地存储数据的nand(notand,与非)型闪速存储器。发明内容实施方式能抑制半导体存储装置中电特性的劣化。实施方式的半导体存储装置具备多个导电体层及第1柱。第1柱贯通多个导电体。第1柱包含第1柱状部、第2柱状部及由第1柱状部与第2柱状部夹着的第1中间部。第1中间部的直...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。