技术编号：26354154
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请本申请享受以日本专利申请2020－026906号(申请日：2020年2月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及非易失性半导体存储装置及其制造方法。背景技术近年来，开发了利用膜的电阻变化的电阻变化存储器(reram)。作为reram的一种，开发了利用膜的存储区域中的结晶状态与非晶状态之间的热相转变所引起的电阻值变化的相变存储器(pcm)。另外，反复层叠两个不同的合金而成的超晶格型的pcm能够以较少的电流使膜相变，因此作为容易省电化...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。