技术编号：26580563
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及晶体管封装技术领域，具体为一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构。背景技术.绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，简称igbt)，主要应用于变频空调的交流电机、变频器，开关电源，照明电路，牵引传动等领域。由于igbt实际是一个电路开关，用在电压几百到几千伏量级，电流几十到几百安量级的强电上，故其可靠性级别会比普通消费类电子要求高很多。igbt工艺技术包括两种：平面型结构(planar)和沟槽型结构(trench)。其中沟槽型结构...
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