技术编号：26734596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及薄膜沉积设备，特别是涉及一种可调节薄膜应力的溅射设备和方法。背景技术.半导体器件制备过程中，沉积薄膜的应力是一个必须关注的问题，如果不能将薄膜应力控制在合理的范围内，会导致薄膜产生裂纹，严重时甚至会导致脱落等不良，导致器件使用寿命缩短。因而器件对薄膜均匀性，特别是对金属氮化物薄膜，比如氮化铝薄膜的应力均匀性、晶体结构一致性等方面的要求非常高。目前应力管控中最难的是确保应力均匀性。采用市面上已有的主流设备沉积出的氮化铝薄膜，应力分布普遍存在中间高，两边低的情...
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