技术编号：26742881
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开内容的实施方案大体上涉及一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及自旋轨道转矩式磁阻随机存取存储器(spin‑orbit torque magnetoresistive random‑access memory,sot‑mram)。背景技术.磁阻随机存取存储器(mram)是一种含有mram单元的阵列的存储器装置，mram单元使用其电阻值而非电荷来储存数据。通常，每个mram单元包括具有至少一个磁性储存层(自由层)和一个磁性参考层(钉扎层)的磁性隧道结(magnetic t...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。