技术编号：26743068
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体器件的技术领域，特指一种半导体器件整合封装结构。背景技术.氮化镓（gan）作为第三代半导体材料的典型代表，相较于硅基半导体材料具有许多优异性能，是高频、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和商用领域具有广阔的应用前景。gan基功率场效应晶体管常用于dc—dc电路等需求续流二极管的应用场合中，因其特殊的结构不存在体二极管，当有反向电流时，其在第三象限反向导通，充当续流二极管的作用。但其反向导通的开启电压通常大于或等于.v，其功率损耗较大。.因此，为了减小电路开关...
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