技术编号:26754521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体加工技术领域,具体而言,本申请涉及一种半导体工艺设备及其混合进气装置。背景技术.目前,原子层沉积(atomic layer deposition,ald)工艺是一种较为先进的薄膜沉积工艺,随着线宽至nm、nm制程,用ald工艺沉积薄膜会变得越来越广泛应用,比如alo、hfo、hfzro、tan、tin、tao及w等薄膜,可以应用于大多数集成电路(integrated circuit,ic)领域,如逻辑器件、动态随机存取存储器(dram)、d闪存等。ald工艺自限制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。