技术编号：2676840
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路制造光刻工艺领域，尤其涉及一种用于光刻工艺曝光后晶圆烘焙的烘焙装置。背景技术在半导体工艺制程中，采用光刻工艺制作光刻胶图形化的过程，通常在对晶圆上的光刻胶进行曝光后，还需要进行曝光后烘焙(PEB，Post Exposure Bake)，进行曝光后烘焙的目的主要有以下几个方面首先是进一步活化光酸对树酯的催化反应；其次为了巩固光刻胶，以提高光刻胶在粒子注入或刻蚀中保护下表面的能力；再次为了进一步减少驻波效应(landing Wave Ef...
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