技术编号：2677622
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及用于检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法。更具体而言，本发明涉及构建具有适于印刷具有临界尺寸的测试特征的测试图案的光掩模的方法，所述测试特征可以被测量和分析来确定光刻工艺期间从曝光工具的最佳焦点位置的离焦的幅度和方向。背景技术 光刻是制造半导体集成电路(IC)中的一种整体工艺。通常，光刻工艺包括使用光致抗蚀剂层涂覆半导体晶片(或衬底)和通过具有集成电路图像的光掩模使用光化性光源(比如准分子激光、汞灯等)将光致抗蚀剂曝光。例如，比如深UV步进曝...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。