技术编号:26787823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术.在半导体制造工艺中,通过光刻和刻蚀的步骤将掩膜上的图案转印到半导体芯片上是非常重要且复杂的过程。.光刻后特定图案尺寸的大小通过显影后的特征尺寸(after develop inspection critical dimension,adi cd)来表征,并且adi cd的大小直接影响着刻蚀后的特征尺寸(after etch inspection critical dimension,aei cd)。而在刻蚀之前,需要沉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。