技术编号：2686067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及光敏化合物梯度光刻胶。背景技术通常，通过首先在晶片或管芯的上方涂覆光刻胶来对诸如堆叠封装(POP)的封装内的晶片或管芯制造电接触。然后，光刻胶可以被平面化以露出晶片或管芯期望制造接触的部分。可以通过将光刻胶暴露给诸如光的辐射来执行图样化，以激活可组成光刻胶的一种成分的光敏化合物。然后，正显影剂或负显影剂可用于去除露出的光刻胶(适用于负显影齐IJ)或者去除未露出的光刻胶(适用于正显影剂)。一旦光刻胶被显影和图样化，就可以通...
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