技术编号：2687294
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)的制造方法，且特别涉及一种可以去除非晶硅层上的残缺蚀刻中止层(etching-stoplayer)并在非晶硅层上形成一重作的蚀刻中止层的方法。背景技术 液晶显示器(liquid crystal display，LCD)因具有低幅射性以及体积轻薄短小的优点，故其使用日渐广泛。而TFT LCD因为其高亮度与大视角的特性，在高端电子产品上更是大受欢迎。传统的TFT LCD是由一TFT面板...
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