技术编号:26910946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及于功率半导体器件,特别是一种超结器件及其制造方法。背景技术.功率垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(vdmosfet)是电力电子系统中的关键半导体元件,被广泛应用于各种中高压功率控制系统中,如马达驱动、电能转换等。在常规的硅功率晶体管中,为了能承受高的击穿电压,漂移层浓度需要掺杂很轻,厚度很厚,这会导致器件的导通电阻很高,导通损耗很大。对于传统的硅功率晶体管,击穿电压(bv)和导通电阻(rds(on))之间存在一个rds(on)∝bv.的折中关系,这个关系也被称作“硅极...
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