技术编号：26933232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。等离子体处理腔室中用于高偏压射频(rf)功率应用的静电卡盘技术领域.本公开内容的实施例总体涉及基板处理系统，并且更具体而言，涉及在基板处理系统中使用的静电卡盘。背景技术.射频(rf)功率通常在蚀刻工艺中使用，例如需要非常高的深宽比孔以进行接触或深的沟道用于铺设电路径的基础设施。rf功率可用于在待处理的基板上生成等离子体和/或建立偏压，以从整体等离子体吸引离子。静电卡盘用以静电保持基板，以在处理期间控制基板温度。静电卡盘通常包括嵌入介电板中的电极及设置于介电板下方的冷却板。用于建立偏压的rf功...
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