技术编号：26945749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及阻挡层形成方法以及半导体装置的制造方法，特别是涉及在finfet等半导体装置的制造步骤中对基底层进行掺杂的情况下所使用的阻挡层形成方法。背景技术.以往，伴随着半导体芯片的高集成化，mosfet等平面型晶体管逐渐微细化、高速化以及低功耗化。但是，在现有的平面型晶体管中，在使沟道长度微细化的情况下不能抑制所谓的无法通过栅电压对动作进行控制的短沟道效应，因而平面型晶体管的微细化存在极限。于是，正在积极地进行以鳍式场效应晶体管(以下也称作finfet)为首的三维型晶体管的研发。.三维型...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。