技术编号：2696673
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种厚外延工艺光刻对准标记结构，在半导体基底上存在有硅单晶区域、硅多晶区域和介质膜区域；在介质膜区域刻蚀有多个沟槽，作为光刻对准标记。本发明可以很好的解决厚外延生长后光刻对准标记变形的问题。专利说明厚外延工艺光刻对准标记结构[0001]本发明涉及一种半导体集成电路结构。背景技术[0002]平面光波导功率分路器(PLC Optical Power Splitter),通过半导体工艺制作光分路器件，光分路的功能在芯片内实现，芯片两端通过封装耦合输入...
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