技术编号：27011510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种堆叠结构及堆叠方法。背景技术.随着便携式设备的智能化、小型化和普及化，以硅通孔(throμgh silicon via，tsv)技术为代表的三维立体集成技术越发受到电子行业的关注。硅通孔技术使得多个芯片相互堆叠集成成为可能，从而将芯片集成从二维集成扩展到三维集成。具体的，采用硅通孔工艺得到的三维堆叠结构包括：依次堆叠设置的若干个具有硅通孔的芯片、位于相邻两个芯片之间的有机填料和若干个微凸块，有机填料用于对相邻两个芯片之间的间隙进行封装，微凸块与相邻两个...
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