技术编号:27013689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.随着集成电路的制造向超大规模集成电路(ulsi)发展,其内部的电路密度越来越大,所含元件数量不断增加,使得晶片的表面无法提供足够的面积来制造所需的互连线。为了配合元件缩小后所增加的互连线需求,利用金属互连线及通孔互连结构实现的两层以上的多层金属互连结构的设计,成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。.在半导体器件的后段制作过程中,通常需要进行金属互连结构形成工艺。所述金属互连结构形成工艺通常在半导体衬底上进行...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。