技术编号:27088923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。分栅沟槽mosfet技术领域.实用新型涉及一种分栅沟槽mosfet栅源漏电改善的工艺制造方法,属于半导体功率器件技术领域。背景技术.分栅沟槽mosfet利用氧化层电荷耦合原理,打破了传统沟槽功率mosfet的理论硅极限,使得n型漂移区即使在高掺杂浓度的条件下也能实现器件较高的击穿电压,从而获得低导通电阻,同时附加优良的开关特性,逐步取代了传统沟槽器件。而分栅沟槽mosfet结构中,栅源多晶硅之间隔离氧化层(inter‑poly oxide,简称ipo)的制作是分栅沟槽器件工艺中非常重要的部分...
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