技术编号：2717633
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及光刻和与曝露半导体衬底相关的方法和设备。更具体地，本发明涉及在衬底上形成抗蚀剂材料的密集特征(dense feature)的图案的方法。背景技术 光刻曝露设备可以用在例如集成电路(IC)的制造中。在这样的情况中，构图装置可以产生与IC的单独层对应的电路图案。在光刻中，辐射束通过使射束穿过构图装置而构图，并且辐射束通过光刻设备的投影系统而投影到已涂覆有光激活的抗蚀剂(例如光致抗蚀剂)材料层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。