技术编号：2725664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一般来说，本发明的实施例涉及掩^^莫制造领域，更具体地说， 涉及掩模修补方法。背景技术近年来，开创了相移掩模("PSM")技术来扩展光学光刻的 极限。通常，光掩^t由石英和铬特征组成。光穿过透明的石英区域， 并受到不透明的铬区域的阻挡。在光到达晶片的位置，暴露光致抗 蚀剂，并且稍后在显影工艺中移除那些区域，剩下未暴露区域作为 特征留在晶片上。随着形体尺寸和节距的缩小，投影光学系统的分 辨率开始限制抗蚀剂图像的质量。由于不透明铬区域非常逼近邻近 的透明石英区...
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