技术编号：2727726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中的清洗制程，尤其涉及。背景技术在半导体制造前段工艺中，通过光刻工艺在半导体衬底表面旋涂光刻胶，定义出待刻蚀或离子注入的区域；刻蚀或离子注入完成后需去除半导体衬底表 面的光刻胶。在涂敷光刻胶制程中，为增加光刻胶层对半导体衬底表面的粘附 性和增大光刻胶的硬度，需要经过多步烘烤步骤，例如旋涂光刻胶后的软考(Soft Bake )、曝光后烘烤(Post Exposure Bake )、完成显影及冲洗后的硬烤(Hard Bake ) 等。在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。