技术编号：27281218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。背景技术.超晶格是一种特殊的半导体结构，广泛应用于诸多半导体光电子器件中，如半导体激光器、光电探测器和雪崩二极管等。其中，应变超晶格是超晶格体系中的重要一环。所谓应变超晶格，是指具有一定晶格失配度的两种材料，利用分子束外延（mbe）和金属有机化合物气相沉积（mocvd）等超薄层外延生长技术制备异质结构时，依靠弹性形变调整其原子间距，最后使两者都达到界面原子排列仍保持晶格匹配的超晶格结构。.应变超晶格的出现，增加了超晶格材料选择...
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