技术编号：27306489
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体表面平坦化的方法及制得的半导体和用途。背景技术.在半导体制造工艺中，cu的化学机械抛光主要是用于后段大马士革金属铜表面的平坦化。.金属铜化学机械研磨主要通过三个研磨盘进行，第一研磨盘进行大压力铜的去除，去除沟槽上方大部分的铜；第二研磨盘用相对小的压力去除沟槽上方剩余的金属铜；第三研磨盘对沟槽和旁边的氧化层进行减薄到工艺需求的厚度。.现有技术通常在第二研磨盘探测到研磨终点时仍然继续研磨，以确保完全去除沟槽上方剩余的金属铜，探测到研磨终点后一...
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