技术编号：27308982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明通常涉及集成电路和半导体装置制造，特别是高电子迁移率晶体管(high‑electron‑mobility transistor)的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。背景技术.高压电力电子装置，例如高电子迁移率晶体管，可使用iii‑v族化合物半导体来制造，以利用其材料特性，例如大于硅的载流子(carrier)迁移率的载流子迁移率。iii‑v族化合物半导体是由iii族元素(铝、镓、铟)与v族元素(氮、磷、砷、锑)结合而成。高电子迁移率晶体管可以包括具有不同带隙的iii‑v族化合物...
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