技术编号：2734976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于晶圓边缘曝光的光栅技术领城本实用新型涉及一种光栅结构，尤其涉及一种用于晶圆边缘曝光的光栅。 背景技木目前，标准的半导体光刻工艺流程包括涂光阻、曝光和显影。曝光制程 中又包括晶圆边缘膝光(Wafer Edge Exposing)步骤。晶圆边缘咏光是采用特殊 的光源均匀照射晶圆边缘预定宽度的环形区域，以在后续的显影过程中去除晶 圓边缘的光阻，露出金属层，供探针接触导电。在晶圆边缘曝光过程中，将光源和具有透光图形(通常是圆形，如附图说明图1所 示)的光栅固定...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。