技术编号：2738429
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体微影制程，特别有关于微影制程中的抗反射层，更明确而言，是有关于一种多层式电介质抗反射层与其形成方法。由于越来越多高反射基材，如硅基村或金属基材的广泛使用，在深紫外光波段的反射问题都大过可见光波段，因此导致光阻层发生驻波效应和凹缺(notching)效应将会更加严重，使得微影程序的图案转移可靠度大幅降低。为了避免摆动效应，一般常采用下列两种方法。第一种方式是通过旋转涂布底层抗反射层(Bottom Anti-Reflection Coatin...
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