技术编号:27394849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种半导体发光器件及其制造方法。背景技术.半导体发光器件是一类采用半导体材料制作的光器件,包括半导体激光器、半导体超辐射发光二极管、以及半导体增益芯片等。其中,半导体超辐射发光二极管(super luminance diode,sld,简称超辐射发光二极管)作为一种自发辐射的单程光放大器件,光学性能介于激光器和发光二极管之间。由于半导体超辐射发光二极管具有宽光谱、短相干长度等特点,被广泛用于光纤陀螺、光时域反射仪及中短距离光纤通信等领域。半导体激光器(...
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