技术编号:27406085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体材料制备技术领域,特别是涉及一种用于连续直拉单晶硅生产的组合坩埚。背景技术.目前,随着颗粒硅技术的逐渐成熟,单晶硅拉晶技术正逐步由多次拉晶技术(recharged czocharlski,rcz)向连续拉晶技术(continuous czocharlski,ccz)过渡,ccz技术能有效提高拉晶产量,降低坩埚损耗与生产成本。.当前,ccz技术使用的三层坩埚拉晶技术,三层坩埚与硅液接触面积大,导致晶棒杂质含量较高、少子寿命偏低;另外,ccz技术使用的双层坩埚拉晶技术,虽...
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